igbt 文章 最新資訊
IGBT的電流是如何定義的
- IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設(shè)計工程師是遠遠不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。流言一：450A IGBT模塊最大輸出電流能力是450A，系統(tǒng)設(shè)計中需要留足夠的余量450A是FS450R12KE4的標稱電流。那么什么是標稱電流？為了搞清楚這一問題最好的辦法是尋根問祖，從英飛凌芯片的數(shù)據(jù)手冊發(fā)掘線索。找到FS450R12KE4內(nèi)部IGBT芯片IGC142T120T8RM的數(shù)據(jù)手冊，奇怪
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IGBT模塊工作環(huán)境溫濕度條件解析
- 在散熱器上安裝的IGBT 模塊并非密封設(shè)計，盡管芯片上方有一層硅膠，但是水汽仍然可以通過外殼間隙以及硅膠進入器件芯片內(nèi)部。因此，器件在使用和存儲過程中，必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數(shù)IGBT 模塊允許工作的溫濕度以及氣候條件遵循IEC60721-3-3規(guī)定,為使客戶更加了解IGBT 的使用環(huán)境條件，本文主要介紹溫度以及濕度運行條件。IEC 60721-3-3標準把氣候條件分成5類:3K20:溫度濕度連續(xù)可控，而且經(jīng)常有人維護，比如用于室內(nèi)產(chǎn)品。3K21:溫度可控，濕度不連續(xù)可控。 比如機房，數(shù)據(jù)中
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用于 gen-7 IGBT模塊的硅凝膠
- 陶氏公司的目標是使用其最新的硅凝膠來開發(fā) IGBT 模塊，以支持 800V 車輛和可再生能源高達 180°C 的運行溫度。“在光伏電池板和風(fēng)力渦輪機中，逆變器的功率密度正在增加，”該公司表示。“由于第 7 代 IGBT 技術(shù)的結(jié)溫更高，電壓更高，電氣負載更大，硅凝膠需要具有強大的介電性能和增強的耐熱性。”EG-4175 是一種材料，在使用前由等量的兩種粘度匹配的前體混合。它無需單獨的底漆即可自吸以實現(xiàn)粘合，并在室溫下固化——盡管可以使用熱量來加速固化。陶氏聲稱，在使用中，“該材料可以吸收振動并具有自愈特性
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雙芯智控革命：IGBT與單片機如何重塑智能微波爐
- 當傳統(tǒng)微波爐還在依賴笨重的工頻變壓器時，TRinno的IGBT單管與現(xiàn)代ABOV單片機的協(xié)同創(chuàng)新，正推動廚房電器進入精準控能時代。這套雙核驅(qū)動方案通過半導(dǎo)體技術(shù)替代機械結(jié)構(gòu)，不僅讓微波爐體積縮小40%，更實現(xiàn)了從毫秒級功率調(diào)節(jié)到智能烹飪程序躍遷，徹底重構(gòu)了家用加熱設(shè)備的技術(shù)底層。一、能量轉(zhuǎn)換革命：磁控管驅(qū)動的進化之路傳統(tǒng)方案的物理瓶頸過去四十年的微波爐依賴電磁感應(yīng)原理——220V交流電通過重量超過3公斤的工頻變壓器升壓，再經(jīng)整流二極管轉(zhuǎn)換為3000V直流電驅(qū)動磁控管。這套體系存在三重技術(shù)枷鎖：能效黑洞：鐵
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從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要點與性能優(yōu)勢解析
- 隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計，探討其技術(shù)優(yōu)勢與核心設(shè)計要點，為住宅太陽能應(yīng)用提供高能效、高密度的解決方案參考。混合串式逆變器架構(gòu)：從模塊到系統(tǒng)典型的混合串式逆變器通過穩(wěn)壓直流母線互聯(lián)各功能模塊（圖1），核心子系統(tǒng)包括：●單向DC/DC轉(zhuǎn)換器：執(zhí)行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；●雙向DC/
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固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結(jié)合以優(yōu)化SSR？
- 固態(tài)繼電器 （SSR） 是各種控制和電源開關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風(fēng)和空調(diào) （HVAC） 設(shè)備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術(shù)在 SSR 的高壓側(cè)和低壓側(cè)之間提供隔離。基于 CT 的固態(tài)隔離器 （SSI） 包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調(diào)器部分。每個部分包含一個線圈，兩個線圈由二氧化硅 （SiO2） 介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個線圈之間傳輸信號。該技術(shù)與標準CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅(qū)動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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英飛凌推出用于電動汽車的新一代高功率節(jié)能型IGBT和RC-IGBT芯片
- 隨著純電動汽車（BEV）和插電式混合動力電動汽車（PHEV）銷量的快速增長，電動汽車市場的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計到?2030?年，電動汽車的生產(chǎn)比例將實現(xiàn)兩位數(shù)增長，從2024年的20%增長至45%左右[1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計的?EDT3（第三代電力傳動系統(tǒng)）芯片，以及為?800 V?系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT&nbs
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R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護功能（TSD）
- 關(guān)鍵要點BM6337xS系列 配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當LVIC的 T j 達到規(guī)定溫度以上時，熱關(guān)斷電路將啟動，會關(guān)斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號。在TSD已啟動的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監(jiān)控的 T j 為LVIC芯片的 T j ，無法跟上IG
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英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調(diào)電源方案
- 這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢。 例如提高效率和信號質(zhì)量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅(qū)動器和碳化硅二極管在內(nèi)的完整 Infineon 解決方案。 文件中提供了關(guān)于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢的信息，目標讀者是經(jīng)驗豐富的電源電子工程師和技術(shù)人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
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能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術(shù)優(yōu)勢
- 在消費電子市場高速發(fā)展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設(shè)備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術(shù)正持續(xù)推動家電產(chǎn)品能效升級。安世半導(dǎo)體推出的650 V G3 IGBT平臺產(chǎn)品，通過性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設(shè)備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關(guān)鍵解決方案。本文將聚焦家電設(shè)備的三大核心應(yīng)用場景——電機拖動、PFC（功率因數(shù)校正）電路及感應(yīng)加熱，深入解析安世半導(dǎo)體650 V G3 IGBT平臺的技術(shù)優(yōu)勢及其在家電領(lǐng)域的實際應(yīng)用價值。1. 電機拖動1
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詳解IGBT工作原理
- 大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實物圖+電路符號圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢在于它提供了比標準雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
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R課堂 | IGBT IPM的錯誤輸出功能（FO）
- 關(guān)鍵要點?FO引腳為錯誤輸出功能引腳，用于向外部通知內(nèi)置保護功能的啟動情況，并會為自我保護而關(guān)斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時間因已啟動的保護功能類型而異，因此可以判別已啟動了哪種保護功能。這是本機型產(chǎn)品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過在FO引腳上連接RC并調(diào)整時間常數(shù)，可以擴展下橋臂各相IGBT的關(guān)斷時間。?當FO輸出經(jīng)由隔離器件輸入至MCU時，在輸出時間隔離器件的傳輸延遲時間比FO輸出的L電平最短時間要長時，需要根據(jù)延遲情況來擴展FO輸出時間時，可使用該功能。本文將介紹“保護
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絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
- IGBT是一種功率開關(guān)晶體管，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點，用于電源和電機控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡稱IGBT）是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的交叉產(chǎn)物，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。IGBT晶體管結(jié)合了這兩種常見晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開關(guān)速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結(jié)合在一起，產(chǎn)生另一種類型的晶體管開關(guān)器件，能夠處理大的集電極-發(fā)射極電流，而幾乎不需要門極電流驅(qū)動。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
- 關(guān)鍵字： 絕緣柵雙極型晶體管，IGBT
英飛凌IGBT7系列芯片大解析
- 上回書(英飛凌芯片簡史 http://cqxgywz.com/article/202502/467026.htm)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)
- 關(guān)鍵字： IGBT 電力電子
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